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2021-12-09 14:39:02

CMP抛光材料深度解析

随着半导体工业飞速发展,电子器件的尺寸越来越小,对半导体原材料晶片表面的平整度要求也越来越高,达到纳米级别。对晶片表面处理的传统的平坦化技术有热流法、旋转玻璃法、回蚀法、选择淀积等,但这些都只能做到局部的平面化,不能达到全局平面化。化学机械抛光(CMP)不但能够对硅片表面进行局部处理,同时也可以对整个硅片表面进行平坦化处理,是目前唯一能兼顾表面全局和局部平坦化的技术。它可以平整晶片表面的不平坦区域

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